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Silicon(珪素)>

Si光学結晶基板/半導体シリコンウェハ

仕入先国名

日本・中国・米国・英国

光学系と半導体系

弊社取り扱いシリコンウェハ及び結晶基板窓は世界各国より用途によってメーカーを選別し御見積いたします。
当ページでは光学窓のご利用されるケースをご案内します。
半導体シリコンウェハをご希望の場合はこちらをご覧ください。
半導体Siウェハ

グレード/ウェハー:

光学系:オプティカルグレード
半導体:ダミー(テストグレード)、プライム、エピタキシャルなど

オプティカルグレード

光学仕様として設計したSi基板です。
主に1.2~5umの波長範囲で透過率50%前後あり、ウィンドウや光学フィルター向け基板として使用されます。
Siは主にチョクラルスキー法(CZ)で育成させます。
しかし、CZ法Siは9um波長域に大きな吸収があります。
原因はCZ法Siでは酸素が含んでおり、それが反応してしまいます。
これを改善するため、フロートゾーン法(FZ)によって成長させたSiは透過率35%程度まで上昇します。 また、一般的には10um波長帯の透過率を最高透過率とするために作られますが、高抵抗Siの場合30-100umの波長帯でも透過させることができます。
※根拠を示すスペクトルグラフはございません。
オプティカルグレードの抵抗値は概ね5~40オームです。

透過率グラフ

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オプティカルシリコン標準仕様

Si(単・多結晶) オプティカルグレード
サイズ φ5~75mm
角板も承ります。
厚さ 1~10mm
透過範囲 1.2~15um
透過率 <55%
密度 2.329g/cm³
屈折率 3.4223
融点 1420℃
熱伝導率 163.3W M⁻¹K⁻¹
比熱 703Jkg⁻¹K⁻¹
誘電定数 13@10GHz
ヤング率(E) 131GPa
せん断弾性率 79.9GPa
バルク係数 102HGPa
弾性係数 C¹¹=167, C¹²=65,
C⁴⁴=80
ポアソン比 0.266
溶解 水に不溶
  • Crystran,Fairfield参考
テラヘルツ用は高い抵抗率が必要であるため、特注となります。

半導体

各種高純度シリコンウェハーを国内外のSi製造企業から仕入れることができます。
集積回路、検出器、MEMS,光電子部品、太陽電池など用途に合わせた仕様に対し、
国内外のSi製造メーカーからご提案します。

Siウェハー標準仕様

結晶育成法 CZ or FZ
グレード プライム、テスト(ダミー)、エピウェハー
高/低抵抗ウェハー、薄型ウェハー
直径 φ2~12インチ
厚さ 275~775um
オリエンテーション (100),(111),(110)
導電型(タイプ) P型とN型
ドーパント

N型:P(リン),Sb(アンチモン),As(ヒ素)
P型:B(ホウ素)In(インジウム)

比抵抗 0.001~10000オーム
TTV ≦10um
  • 表は標準仕様です。表以外の仕様をご希望は是非を検討します。

御見積方法


ページ最下部のお問合せフォームより、
グレード、サイズ、面方位、タイプ、表面精度、数量などご連絡ください。

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