Silicon(珪素)>

Si結晶-シリコンウェハー/光学基板

仕入先国名

日本・中国・米国・英国

グレード/ウェハー:

光学系:オプティカルグレード
半導体:ダミー(テストグレード)、プライム、エピタキシャルなど

オプティカルグレード

光学仕様として設計したSi基板です。
主に1.2~5umの波長範囲で透過率50%前後あり、ウィンドウや光学フィルター向け基板として使用されます。
CZ法Siは9um波長域に大きな吸収があります。
オプティカルグレードの抵抗値は概ね5~40オームです。

透過率グラフ

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オプティカルシリコン標準仕様

Si(単・多結晶) オプティカルグレード
サイズ φ5~75mm
角板も承ります。
厚さ 1~10mm
透過範囲 1.2~15um
透過率 <55%
密度 2.329g/cm³
屈折率 3.4223
融点 1420℃
熱伝導率 163.3W M⁻¹K⁻¹
比熱 703Jkg⁻¹K⁻¹
誘電定数 13@10GHz
ヤング率(E) 131GPa
せん断弾性率 79.9GPa
バルク係数 102HGPa
弾性係数 C¹¹=167, C¹²=65,
C⁴⁴=80
ポアソン比 0.266
溶解 水に不溶
  • Crystran,Fairfield参考
テラヘルツ用は高い抵抗率が必要であるため、特注となります。

半導体

各種高純度シリコンウェハーを国内外のSi製造企業から仕入れることができます。
集積回路、検出器、MEMS,光電子部品、太陽電池など用途に合わせた仕様に対し、
国内外のSi製造メーカーからご提案します。

Siウェハー標準仕様

結晶育成法 CZ or FZ
グレード プライム、テスト(ダミー)、エピウェハー
高/低抵抗ウェハー、薄型ウェハー
直径 φ2~12インチ
厚さ 275~775um
オリエンテーション (100),(111),(110)
導電性(タイプ) P,N
ドーパント B(ホウ素),リン(P)
アンチモン(Sb),ヒ素(As)
比抵抗 0.001~10000オーム
TTV ≦10um
  • 表は標準仕様です。表以外の仕様をご希望は是非を検討します。

御見積方法


ページ最下部のお問合せフォームより、
グレード、サイズ、面方位、タイプ、表面精度、数量などご連絡ください。

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