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Silicon(珪素)>
Si光学結晶基板/半導体シリコンウェハ
仕入先国名
日本・中国・米国・英国光学系と半導体系
弊社取り扱いシリコンウェハ及び結晶基板窓は世界各国より用途によってメーカーを選別し御見積いたします。当ページでは光学窓のご利用されるケースをご案内します。
半導体シリコンウェハをご希望の場合はこちらをご覧ください。
半導体Siウェハ
グレード/ウェハー:
光学系:オプティカルグレード半導体:ダミー(テストグレード)、プライム、エピタキシャルなど
オプティカルグレード
光学仕様として設計したSi基板です。主に1.2~5umの波長範囲で透過率50%前後あり、ウィンドウや光学フィルター向け基板として使用されます。
Siは主にチョクラルスキー法(CZ)で育成させます。
しかし、CZ法Siは9um波長域に大きな吸収があります。
原因はCZ法Siでは酸素が含んでおり、それが反応してしまいます。
これを改善するため、フロートゾーン法(FZ)によって成長させたSiは透過率35%程度まで上昇します。 また、一般的には10um波長帯の透過率を最高透過率とするために作られますが、高抵抗Siの場合30-100umの波長帯でも透過させることができます。
※根拠を示すスペクトルグラフはございません。
オプティカルグレードの抵抗値は概ね5~40オームです。
透過率グラフ
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オプティカルシリコン標準仕様
Si(単・多結晶) | オプティカルグレード |
---|---|
サイズ | φ5~75mm 角板も承ります。 |
厚さ | 1~10mm |
透過範囲 | 1.2~15um |
透過率 | <55% |
密度 | 2.329g/cm³ |
屈折率 | 3.4223 |
融点 | 1420℃ |
熱伝導率 | 163.3W M⁻¹K⁻¹ |
比熱 | 703Jkg⁻¹K⁻¹ |
誘電定数 | 13@10GHz |
ヤング率(E) | 131GPa |
せん断弾性率 | 79.9GPa |
バルク係数 | 102HGPa |
弾性係数 | C¹¹=167, C¹²=65, C⁴⁴=80 |
ポアソン比 | 0.266 |
溶解 | 水に不溶 |
- Crystran,Fairfield参考
半導体
各種高純度シリコンウェハーを国内外のSi製造企業から仕入れることができます。集積回路、検出器、MEMS,光電子部品、太陽電池など用途に合わせた仕様に対し、
国内外のSi製造メーカーからご提案します。
Siウェハー標準仕様
結晶育成法 | CZ or FZ |
---|---|
グレード | プライム、テスト(ダミー)、エピウェハー 高/低抵抗ウェハー、薄型ウェハー |
直径 | φ2~12インチ |
厚さ | 275~775um |
オリエンテーション | (100),(111),(110) |
導電型(タイプ) | P型とN型 |
ドーパント | N型:P(リン),Sb(アンチモン),As(ヒ素) |
比抵抗 | 0.001~10000オーム |
TTV | ≦10um |
- 表は標準仕様です。表以外の仕様をご希望は是非を検討します。
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