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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>

GaAs単結晶基板・エピタキシャルウェハ

物理特性

結晶構造 立方晶
結晶対称性 43m F43m
結晶格子定数 5.653
分子量 144.64
屈折率 7.0um:3.2927
8.0um:3.2884
12.0um:3.2667
透過範囲 1~15um
吸収係数(10.6um) 0.01μ(λ),cm⁻¹
熱線膨張係数 5.39x10⁻⁶/℃
熱伝導率 46.05 W/(m・deg)
比熱 350J/kg/℃
融点 1238℃
密度 5.316
ビッカース微小硬度 6.9x10⁹
モース硬度 4.5
ヤング率 85x10⁹
ポアソン比 0.31
潮解性 不溶
へき開 <110>
圧電定数 e₁₄=-0.16cm⁻²
弾性係数 C₁₁=11.90・10¹¹dyn/cm²
C¹²=5.34・10¹¹dyn/cm²
C⁴⁴=5.96・10¹¹dyn/cm²
  • 数値は理論値です。保証する値ではありません。
  • 参考:JANIS Research Company 他

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