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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
GaAs単結晶基板・エピタキシャルウェハ
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物理特性
| 結晶構造 | 立方晶 |
|---|---|
| 結晶対称性 | 43m F43m |
| 結晶格子定数 | 5.653 |
| 分子量 | 144.64 |
| 屈折率 | 7.0um:3.2927 8.0um:3.2884 12.0um:3.2667 |
| 透過範囲 | 1～15um |
| 吸収係数(10.6um) | 0.01μ(λ),cm⁻¹ |
| 熱線膨張係数 | 5.39x10⁻⁶/℃ |
| 熱伝導率 | 46.05 W/(m・deg) |
| 比熱 | 350J/kg/℃ |
| 融点 | 1238℃ |
| 密度 | 5.316 |
| ビッカース微小硬度 | 6.9x10⁹ |
| モース硬度 | 4.5 |
| ヤング率 | 85x10⁹ |
| ポアソン比 | 0.31 |
| 潮解性 | 不溶 |
| へき開 | <110> |
| 圧電定数 | e₁₄=-0.16cm⁻² |
| 弾性係数 | C₁₁=11.90・10¹¹dyn/cm² C¹²=5.34・10¹¹dyn/cm² C⁴⁴=5.96・10¹¹dyn/cm² |
- 数値は理論値です。保証する値ではありません。
- 参考：JANIS Research Company 他
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