お問い合わせ

Tel・Fax
045-873-9917
eメール
 
お問い合わせフォーム

Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>

GaAs単結晶基板・エピタキシャルウェハ

物理特性

結晶構造 立方晶
結晶対称性 43m F43m
結晶格子定数 5.653
分子量 144.64
屈折率 7.0um:3.2927
8.0um:3.2884
12.0um:3.2667
透過範囲 1~15um
吸収係数(10.6um) 0.01μ(λ),cm⁻¹
熱線膨張係数 5.39x10⁻⁶/℃
熱伝導率 46.05 W/(m・deg)
比熱 350J/kg/℃
融点 1238℃
密度 5.316
ビッカース微小硬度 6.9x10⁹
モース硬度 4.5
ヤング率 85x10⁹
ポアソン比 0.31
潮解性 不溶
へき開 <110>
圧電定数 e₁₄=-0.16cm⁻²
弾性係数 C₁₁=11.90・10¹¹dyn/cm²
C¹²=5.34・10¹¹dyn/cm²
C⁴⁴=5.96・10¹¹dyn/cm²
  • 数値は理論値です。保証する値ではありません。
  • 参考:JANIS Research Company 他

御見積

光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。
光学:サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体:サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、膜厚、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

  Homeに戻る

TOP