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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>

GaAs基板・ウェハ

VGF法で育成させたGaAsを2"から6"まで、10x10x0.5mmなどチップ加工にも対応しております。1枚から量産までご提供いたします。

  • 価格は数量に大きく依存します。


LED用-GaAs仕様

結晶育成法 VGF
導電型(半導体) N型 / P型(Znドープ)
ドーパント Si,Zn
インチ直径 2,3,4
結晶方位 (100),2°/6°/15°OFF
オリフラ EJ or US*
キャリア濃度 (0.4~2.5)^¹⁸/cm³
RT抵抗値 (1.5~9)^⁻³ ohm.cm
モビリティ 1500~3000cm²/V.sec
エッチ・ピット速度 <5000/cm²
レーザーマーキング ご要望次第
表面仕上げ 片面研磨・裏面エッチング
両面鏡面研磨
ウェハー厚 220~450um
エピレディ
へき開 (110)
  • 導電型、ドープによって抵抗値などが変わります。
  • EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
  • US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

LD用-GaAs仕様

結晶育成法 VGF
導電型(半導体) N型
ドーパント Si
インチ直径 2,3,4
結晶方位 (100),2°/6°/15°OFF
オリフラ EJ or US*
キャリア濃度 (0.4~2.5)^¹⁸/cm³
RT抵抗値 (1.5~9)^⁻³ ohm.cm
モビリティ 1500~3000cm²/V.sec
エッチ・ピット速度 <500/cm²
レーザーマーキング ご要望次第
表面仕上げ 片面研磨・裏面エッチング
両面鏡面研磨
ウェハー厚 220~350um
エピレディ
へき開 (110)
  • 導電型、ドープによって抵抗値などが変わります。
  • EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
  • US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

マイクロエレクトロニクス用-半絶縁体GaAs仕様

結晶育成法 VGF
導電型(半絶縁体) -
ドーパント Undoped
インチ直径 2,3,4
結晶方位 (100)±0.5°
オリフラ EJ or US or ノッチ*
キャリア濃度 -
RT抵抗値 1^⁷ ohm.cm
モビリティ 5000cm²/V.sec
エッチ・ピット速度 <8000/cm²
レーザーマーキング ご要望次第
表面仕上げ 両面鏡面研磨
ウェハー厚 350~675um
エピレディ
へき開 (110)
  • マイクロエレクトロニクス用はドープ無しです。
  • EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
  • US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

マイクロエレクトロニクス用-半絶縁体6"GaAs仕様

結晶育成法 VGF
導電型(半絶縁体) -
ドーパント Undoped
インチ直径 6"(150±0.25mm)
結晶方位 (100)
オリフラ ノッチ[010]±2°
ノッチ深さ (1-1.25)mm89°~95°
キャリア濃度 -
抵抗値 >1x107 or 0.8~0.9x10⁻³
モビリティ -
Bow -
Warp ≦20
TTV ≦10
TIR ≦10
LFPD -
レーザーマーキング ご要望次第
表面仕上げ 両面エピレディ研磨
ウェハー厚 675um±0.1
エピレディ
へき開 (110)

2インチLTGaAs-GaAs
(低温エピ成長GaAs基板GaAs)
LT=Low tempurture grown GaAs

直径 φ50.8±1mm
基板厚さ 1~3um
ドーパント Undoped(半絶縁体)
結晶方位 (100)±0.5°
低温成長温度 200~250℃
転位密度(EPD) <1x106ohm.cm
キャリア濃度 <0.5ps
RT抵抗値 >108ohm.cm
モビリティ 5000cm²/V.sec
レーザーマーキング ご要望次第
表面仕上げ 両面鏡面研磨
ウェハー厚 350~500um
エピレディ
へき開 (110)
  • マイクロエレクトロニクス用はドープ無しです。
  • EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
  • US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

    仕様決め:

  • 仕様によってチョクラルスキー法で製造したGaAsで御見積する場合があります。
  • ウェハのカット、エッチング工程などすべて対応しております
  • ご要求に対して、片面/両面どちらでも研磨いたします。

御見積

光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。
光学:サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体:サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

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