LED用-GaAs仕様

ドーパント	Si(N型)		Zn(P型)
結晶育成法	VGF
導電型(半導体)	N型(Si)or半絶		P型(Zn)or半絶
インチ直径	2,3,4
結晶方位	(100),2°/6°/15°OFF
オリフラ	EJ or US*
キャリア濃度	(0.4～2.5)x10¹⁸/cm³		(0.5～5.0)x10¹⁹/cm³
抵抗値	(1.5～9)x10⁻³ ohm.cm		N/A
モビリティ	1500～3000cm²/V.sec		N/A
エッチ・ピット密度	<5000/cm²
レーザーマーキング	ご要望次第
表面仕上げ	片面研磨・裏面エッチング 両面鏡面研磨
ウェハー厚	220～450um

• 抵抗値などは理論値であり、保証値ではありません。
• EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
• US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

LD用-GaAs仕様

結晶育成法	VGF
導電型(半導体)	N型
ドーパント	Si
インチ直径	2,3,4
結晶方位	(100),2°/6°/15°OFF
オリフラ	EJ or US*
キャリア濃度	(0.4～2.5)x10¹⁸/cm³
抵抗値	(1.5～9)x10⁻³ ohm.cm
モビリティ	1500～3000cm²/V.sec
エッチ・ピット密度	<500/cm²
レーザーマーキング	ご要望次第
表面仕上げ	片面研磨・裏面エッチング 両面鏡面研磨
ウェハー厚	220～350um

• 導電型、ドープによって抵抗値などが変わります。
• EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
• US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

マイクロエレクトロニクス用-半絶縁体GaAs仕様

結晶育成法	VGF
導電型	半絶縁体(SC)
ドーパント	Undoped
インチ直径	2,3,4
結晶方位	(100)±0.5°
オリフラ	EJ or US or ノッチ*
キャリア濃度	N/A
抵抗値	1x10⁷ ohm.cm
モビリティ	5000cm²/V.sec
エッチ・ピット密度	<8000/cm²
レーザーマーキング	ご要望次第
表面仕上げ	両面鏡面研磨
ウェハー厚	350～675um

• マイクロエレクトロニクス用はドープ無しです。
• EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
• US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

マイクロエレクトロニクス用-半絶縁体6"GaAs仕様

結晶育成法	VGF
導電型(半絶縁体)	-
ドーパント	Undoped
インチ直径	6"(150±0.25mm)
結晶方位	(100)
オリフラ	ノッチ[010]±2°
ノッチ深さ	(1-1.25)mm89°～95°
キャリア濃度	-
抵抗値	>1x107 or 0.8～0.9x10⁻³
モビリティ	-
Bow	-
Warp	≦20
TTV	≦10
TIR	≦10
LFPD	-
レーザーマーキング	ご要望次第
表面仕上げ	両面エピレディ研磨
ウェハー厚	675um±0.1
エピレディ	有
へき開	(110)

2インチLTGaAs-GaAs
(低温エピ成長GaAs基板GaAs)
LT=Low temperature grown GaAs

直径	φ50.8±1mm
基板厚さ	1～3um
ドーパント	Undoped(半絶縁体)
結晶方位	(100)±0.5°
低温成長温度	200～250℃
転位密度(EPD)	<1x106ohm.cm
キャリア濃度	<0.5ps
RT抵抗値	>108ohm.cm
モビリティ	5000cm²/V.sec
レーザーマーキング	ご要望次第
表面仕上げ	両面鏡面研磨
ウェハー厚	350～500um
エピレディ	有
へき開	(110)

• マイクロエレクトロニクス用はドープ無しです。
• EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
• US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。

仕様決め：

• 仕様によってチョクラルスキー法で製造したGaAsで御見積する場合があります。
• ウェハのカット、エッチング工程などすべて対応しております
• ご要求に対して、片面/両面どちらでも研磨いたします。

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