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Ge基板・エピタキシャルウェハ

VGF/LEC/CZなど3種類の育成法によって成長させたGe(ゲルマニウム)単結晶ウェハを1枚から量産までご提供いたします。

  • 価格は数量に大きく依存します。

VGF法ゲルマニウム仕様

育成法 垂直徐冷(VGF)
導電型 Nタイプ,Pタイプ,Undoped
ドーパント Ga or Sb
ウェハサイズ 2,3,4,6(インチ)
結晶方位 (100),(111),(110)
基板厚 200~550um
オリフラ(OF) EJ or US*
キャリア濃度 リクエストによる
抵抗値 0.001~80 ohm.cm
エッチピット密度 <5000/cm²
レーザーマーキング リクエストによる
ウェハー表面 両面研磨/表面研磨・裏面エッチング
エピレディ
パッケージ 個別カセット式パッケージ封入
  • 導電型、など以上すべては選択可能です。御見積時にご指定下さい。
  • EJ=ユーロ・日本方式。メインオリフラ(0-1-1),サブオリフラ(0-11)。
  • US=アメリカ方式。メインオリフラ(01-1),サブオリフラ(011)。


CZ法ゲルマニウム仕様

結晶育成法 チョクラルスキー
導電型 - N P
ドーパント Undoped Sb In or Ga
抵抗値(Ω.cm) >35 <0.05 0.05~0.1
EPD(cm²) <5x10²
<5x10³
  • 導電型、ドープによって抵抗値などが変わります。


ソーラーセル向け4インチゲルマニウム

導電型 Pタイプ
ドーパント Ge-Ga
ウェハサイズ 100±0.25mm
結晶方位 (100) 9°オフ<111>±0.5°
プライマリーオリフラ N/A
プライマリフラット長 32±1mm
セカンドオリフラ N/A
セカンドフラット長 N/A
キャリア濃度 0.26~2.24^¹⁸
抵抗値 0.74~2.81^⁻²
モビリティ 382~865cm²/v.s
EPD <300
レーザーマーキング 無し
基板厚 175±10um
TTV <15
TIR N/A
BOW/Warp <10
研磨 片面研磨/裏面Ground
  • 仕様によってチョクラルスキー法で製造したGeで御見積する場合があります。
  • ウェハのカット、エッチング工程などすべて対応しております
  • ご要求に対して、片面/両面どちらでも研磨いたします。

御見積

光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。
光学:サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体:サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

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