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Gallium Antimonide：ガリウムアンチモン>
GaSb単結晶基板・ウェハ・TPVセル
GaSbウェハー：
GaSb結晶は米国、中国、ドイツから輸入しております。GaSb(ガリウムアンチモン)は基板(ウェハー)材料としていくつかの赤外線発光LED機器、検出器、レーザー機器などに用いられます。
また、結晶格子を合わせたり限定的にすることができれば
GaAsと比べてモビリティが大きくすることができ、
将来マイクロ波関連の機器の応用が潜在的に可能と目されております。
結晶成長法のメインはLECですが、
更に技術力を改善したLEC法やVGF法/VBG法(垂直ブリッジマン法）などもございます。 （参考：中国科学院上海光学精密機械研究所）
取扱標準スペックシート
| 結晶成長法 | LEC | ||
|---|---|---|---|
| 面方位 | (100),(111),(211),(311) ±0.5°,又は指定方位 | ||
| タイプ | N | P | |
| ドープ | Te | None | Zn |
| キャリア濃度 | (2〜10)x10ˆ17 | (1〜2)x10ˆ17 | (3〜10)xˆ17 |
| モビリティ [ ㎠/v.s ] |
(1.5〜3.6)x10ˆ3 | (6〜8)x10ˆ2 | (5〜7)x10ˆ2 |
| 抵抗値 [ Ω-cm ] |
(0.2〜1.2)x10ˆ2 | (5〜8)x10ˆ2 | |
| 形状 | 丸型（ウェハ） | ||
| 直径 [ mm ] |
50.8±0.04 | 76.2±0.04 | 101.6±0.04 |
| 厚さ [ um ] |
500±25 | 600±25 | 700±25 |
| プライマリフラット長 [ mm ] |
16±1 | 22±1 | 18±1 |
| セカンダリフラット長 [ mm ] |
7±1 | 12±1 | 18±1 |
| EPD [ cm-2 ] |
≤1000 | ≤2000 | ≤3000 |
| 表面仕上げ |
|
||
| TV （研磨された側） [ um ] |
≤20 | ||
| Wrap （研磨された側） [ um ] |
≤15 | ||
| 包装（パッケージ） | 個々ウェハーケース封入 | ||
表資料：JX Crystals.Inc
- 上記の内容以外でも角板、チップなども対応可能です。
（例：10x10xT0.5mm, 20x30xT3mm,10x5x0.5mmなど）
ご希望があればAFM画像も納品の際添付可能です。結晶製造メーカーは1社とは限りません。
その都度ユーザー様の条件にマッチするメーカー製品をご紹介いたします。
