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Gallium Phosphide(燐化ガリウム・ガリウムリン)>

GaP単結晶基板・ウェハ

  • 写真のGaP結晶はVGF法,直径52mm,重さ約1kg。
  • 最大インゴット直径は78mm,105mmまで育成可能です。

仕入先:

米国・中国・ドイツ・ロシア・スロバキア
規格品からカスタムサイズなど仕様に見合うメーカーで御見積します。

特徴:

有機結晶及び半導体結晶。赤、黄、緑色を出力するLED基板の他、 LD(レーザーダイオード)、エレクトロニクス関連機器、光通信機器などに活用されています。
広帯域波長範囲を利用し、小型光源の開発、近年では赤外励起光とTHzの双方の透過率が高いので、 非線形結晶としてTHz波を効率よく変換させて取り出すことが可能です。
しかし、角度位相整合の調整が必要です。

GaP結晶・ウェハー標準値

育成法 LEC法、VGF法
ドーパント S、Zn、Te、ドープ無し
導電型(タイプ) P or N
ドープに依存
キャリア濃度 3.5x10^¹⁷~2x10^¹⁸cm⁻³

GaP単結晶取り扱いスペック参考表

サイズ(mm) 厚み(um) 面方位
5x5
10x10
15x15
2"
0.1~ (100)
(110)
(111)
導電型別抵抗値簡易表
インチ径 厚さ
(um)
導電型
(タイプ)
面方位 CC
(Ω.cm)
EPD 研磨
2" 300 P/Zn (100) 1~2
x10E18
1~2
x10E5
両面鏡面
2" 300 N/S (100) 1~2
x10E18
<2x10E5 両面鏡面
2" 300 Undoped (100) <1x10E16 <2x10E5 両面鏡面
2"Optical 300 Undoped (100) <1x10E16 - 両面鏡面
2"Electronic 300 Undoped (100) <1x10E16 - 両面鏡面
  • サイズはカスタム可能です。
  • 上記は参考です。希望サイズ、値がありましたらお問合せください。
  • 高品質LD(レーザーダイオード)グレードもございます。
  • 1枚から販売できます。
  • 導電型別抵抗値簡易表は指標です。保証値ではありません。

面方位参考図

  • クリックで拡大。戻る際はブラウザ戻るボタンでお戻りください。

御見積

サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体の場合、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
指定無き場合、不問として御見積となります。

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