Gallium Phosphide(燐化ガリウム・ガリウムリン)>

GaP単結晶

  • 写真のGaP結晶はVGF法,直径52mm,重さ約1kg。
  • 最大インゴット直径は78mm,105mmまで育成可能です。

仕入先:

米国・中国・ドイツ・ロシア・スロバキア
規格品からカスタムサイズなど仕様に見合うメーカーで御見積します。

特徴:

有機結晶及び半導体結晶。赤、黄、緑色を出力するLED基板の他、 LD(レーザーダイオード)、エレクトロニクス関連機器、光通信機器などに活用されています。
広帯域波長範囲を利用し、小型光源の開発、近年ではTHz波を効率よく変換させ、 テラヘルツ発生用非線形結晶も研究されております。

GaP結晶・ウェハー標準値

育成法 LEC法、VGF法
ドーパント S、Zn、Te、ドープ無し
導電型(タイプ) P or N
ドープに依存
キャリア濃度 3.5x10^¹⁷~2x10^¹⁸cm⁻³

GaP単結晶取り扱いスペック参考表

サイズ(mm) 厚み(um) 面方位
5x5
10x10
15x15
2"
0.1~ (100)
(110)
(111)
  • サイズはカスタム可能です。
  • 上記は参考です。希望サイズ、値がありましたらお問合せください。
  • 高品質LD(レーザーダイオード)グレードもございます。
  • 1枚から販売できます。

面方位参考図

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御見積

サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体の場合、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
指定無き場合、不問として御見積となります。

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