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Gallium Nitride(窒化ガリウム)>
自立型GaN単結晶基板・ウェハ
特徴：
青色LEDとして有名な材料で、ヘテロ接合させたSi、SiC、サファイアなどを基板とし、エピタキシャル成長させたウェハーが流通しています。
パワーデバイスとしてGaN単体では高価格であるため、エピウェハーが主流ですが、
近年は徐々にGaN基板の価格が下がってきており、GaNを基盤としたデバイスが開発されております。
販売：
弊社は研究や試作テスト向け少量・小径サイズを取り扱っております。通常の2インチウェハーの他、10x10mmなど様々なサイズやドープも可能です。
ストック品は納品まで約1週間も可能です。
サファイアやSiなどにエピタキシャル膜層ではない、単体素材としてバルクGaN基板を販売しています。 量産を検討している事業は別ページのXCSW製GaNをご覧ください。
GaN単結晶取り扱い参考表
| サイズ(mm) | 厚み(um) | タイプ | ドープ | 面方位 |
|---|---|---|---|---|
| 5x10 10x10.5 5x20 2" |
350 450 500 他 |
N P 半絶縁体(semi-insulating) |
アンドープ Si Fe Ge |
C軸,M軸,A軸 |
- オリフラ、抵抗値、キャリア濃度、表面精度など別途お問合せください。
- 上記は参考です。希望サイズ、値がありましたらお問合せください。
- 高品質LD(レーザーダイオード)グレードもございます。
- 1枚から販売できます。
御見積
下記お問合せフォームまたはメールから、サイズ、面方位、タイプ、ドープ、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
