特徴：

青色LEDまたはパワーデバイスとして近年Siに代わる材料として流通しています。
GaNはヘテロ接合させたSi、SiC、サファイアなどエピタキシャル成長させたウェハが低価格基板として主流ですが、
徐々にGaN単体フリースタンディング基板の需要の波が迫ってきています。

用途：

GaNは高電子移動度トランジスタ(HEMT)やパワーデバイス基板として広く利用されています。
高品質な半絶縁性が求められるため、ドーピングによるキャリア補償が重要です。
FeドープGaNは深い準位を形成し、より高い抵抗率を実現できるため、特にRFデバイスやマイクロ波デバイス向けに広く採用されています。
ノンドープGaNの半絶縁性GaNは、成長時の自己補償（例えばGa空孔によるキャリア捕獲）に依存しており、均一な特性を得るのが難しいうえ、 Feドープと比べると安定した高抵抗特性を持たせるのが難しく、大規模なデバイス製造には適さないことが多いです。
比較対象としてノンドープGaNも取り扱っておりますが、メジャーなのはFeドープGaN半絶縁体がメインとなっています。

販売：

弊社は研究や試作テスト向け少量・小径サイズを取り扱っております。
通常の2インチウェハーの他、10x10mmなど様々なサイズやドープも可能です。
ストック品は納品まで約1週間も可能です。
サファイアやSiなどにエピタキシャル膜層ではない、単体素材としてバルクGaN基板を販売しています。 量産を検討している事業は別ページのXCSW製GaNをご覧ください。

御見積

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