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自立型GaN結晶基板・エピタキシャルウェハ

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窒化ガリウム基板単体から他の化合物をエピ成長させたサファイア基板GaNなどを10x10mm角にダイシング及び研磨した状態での御見積もできます。

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光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。
光学:サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体:サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、膜厚、数量
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