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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
サファイア基板窒化ガリウム
サファイア基板上にGaN(窒化ガリウム)を成膜したウェハを提供いたします。
導電タイプやGaN膜を膜厚を指定することもできます。
- AlGaN,InGaNなどエピウェハはこちらをご参照ください。
- 価格は数量に大きく依存します。
2インチサファイア基板GaN
| 導電型 | N | P | 半絶縁体 |
|---|---|---|---|
| ドーパント | Si アンドープ |
Mg | Fe |
| サイズ(mm) | φ50 | ||
| GaN膜層厚さ(um) | 4,20,30 50,100 |
5,20,30 50,100 |
30,90 |
| 面方位 | C軸(0001)±1° | ||
| 比抵抗 | <0.05Ω.cm | <1Ω.cm* | <1x106Ω.cm |
| 転位密度 | <1x10⁸cm⁻² | ||
| 表面仕上げ | 片面 or 両面エピレディ研磨 | ||
- P型のみカスタム可能です。
- P型のキャリア濃度は1E16cm⁻³が通常です。
- P型1E18cm⁻³の最小ロットは60枚からです。
3インチサファイア基板GaN
| 導電型 | N | 半絶縁体 |
|---|---|---|
| ドーパント | Si アンドープ |
Fe |
| サイズ(mm) | φ76* | |
| GaN膜層厚さ(um) | 20,30 | 20,30,90 |
| 面方位 | C軸(0001)±1° | |
| 比抵抗 | <0.05Ω.cm | <1x106Ω.cm |
| 転位密度 | <1x10⁸cm⁻² | |
| サファイア基板厚さ(um) | 430 | |
| 表面仕上げ | 片面 or 両面エピレディ研磨 | |
- 外径から5mmまで非有効径です。
- 基板裏面に希望により0.4umTiコーティングも可能です。
4インチサファイア基板GaN
| 導電型 | N |
|---|---|
| ドーパント | アンドープ |
| サイズ(mm) | φ100 |
| GaN膜層厚さ(um) | 4 |
| 面方位 | C軸(0001)±1° |
| 比抵抗 | <0.05Ω.cm |
| 転位密度 | <1x10⁸cm⁻² |
| 表面仕上げ | 片面 or 両面エピレディ研磨 |
- 外径から5mmまで非有効径です。
- 基板裏面に希望により0.4umTiコーティングも可能です。
御見積
光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。光学：サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体：サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
