LD,LED向けサファイア基板GaN

育成法	MOCVD
直径	φ50.8mm
サファイア基板厚さ	430um
GaN膜厚さ	0.2～um

サファイア基板AlN

導電型	半絶縁体
直径	φ50.8mm
AlN膜層厚さ	1um±10%
面方位	C軸(0001)±1°
表面仕上げ	無し

サファイア基板InGaN

ドーパント	In
直径	φ50.8mm
InGaN膜層厚さ	100～200um
面方位	C軸(0001)±1°
転位密度	>108cm⁻²
表面仕上げ	片面または両面エピレディ研磨

サファイア基板AlGaN

直径	φ50.8mm
導電型	半絶縁体
AlGaN膜層厚さ	1um±10%
面方位	C面
オリフラ	A面
XRD FWHM	<200 arcsec
有効範囲	>90%
表面仕上げ	無し

THz検出向けGaAs基板LT-GaAs(GaAs on LTGaAs)
低温成長(Low temperature grown GaAs)
GaAsウェハ上にGaAsを低温エピ成長させたウェハ

直径	φ50.8mm
GaAs基板厚さ	350um,500um
LT-GaAsエピ層膜厚	1～3um
低温成長温度	200～250℃
基板面方位	(100)
基板導電型	Undoped/半絶縁体
マイクロ欠陥密度	≦5cm⁻²
抵抗値(300K)	>108ohm-cm
キャリア濃度	<0.5ps
転位密度(EPD)	<1x106cm⁻²
有効表面範囲	≧80%

PIN向けInP基板InGaAs

直径	φ50.8mm
InP基板面方位	(100)
ドーパント	Fe (半絶縁体)
抵抗値(300K)	>1x10^⁷ohm.cm
EPD	<1x10^⁴/cm^²
エピタキシャル層 In(x)Ga1-(x)As
キャリア濃度	Nc>2x10^¹⁸(Siドープ)
InGaAs膜厚	500nm±20%
エピ面粗さ	Ra<0.5nm

1.55umQWレーザー向け
InP基板InGaAsP/InGaAs

成長法	MOCVD
直径	φ50.8mm
主基板	SドープInP
膜層	InGaAsP/InGaAs
PL波長	1500±3～5nm
歪み	-1.0±0.1%
エピタキシャル層数	8～20
総膜層厚さ	1.0～3.0um
エピタキシャル層
1層(最下層)	n-InPバッファ層：膜厚1um,2E18/cm⁻³
2層	1.15Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚80nm
3層	1.24Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚70nm
4層	a=4xInGaAsP QW+1%,膜厚:5nm b=5xInGaAsP保護,膜厚:10nm, PL/1550nm
5層	1.24Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚70nm
6層	1.15Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚80nm
7層	InP,膜厚:ドープ無し20um
8層	InP,5E17,膜厚：100nm
9層	InP,1.5E18,膜厚：1200nm
10層(最上層)	InGaAs,2E19,膜厚：100nm

GaAs基板AlAs

直径	φ50.8mm
主基板	GaAs
基板厚さ	350um
導電型(選択可)	N又はP(半絶縁体)
キャリア濃度	>E18Ω.cm(導電型に関わらず)
膜層	GaAsとAlAs
エピタキシャル層
1層(最下層)	n-InPバッファ層：膜厚1um,2E18/cm⁻³
2層	1.15Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚80nm
3層	1.24Q-InGaAsP導波路,ドープ無し膜厚70nm

InP基板InGaAs/InP

直径	φ50.8mm
主基板	InP
基板厚さ	350±25um
ドーパント	S
導電型	N
面方位	(100)±0.5°
EDP	<1E4/cm²
表面仕上げ	片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠
エピタキシャル1層目-InGaAs
面方位	(100)
膜厚	100nm,エッチングストップ
エピタキシャル2層目-InP
面方位	(100)
膜厚	50um

GaN基板InGaAs/InP

直径	φ50.8mm
ドーパント	S
導電型	N
主基板	GaN
面方位	(100)±0.5°
GaN基板厚さ	350um
EDP	<1E4/cm²
エピタキシャル1層目-InGaAs
面方位	(100)
膜厚	100nm,エッチングストップ
エピタキシャル2層目-InP
面方位	(100)
膜厚	50um

• その他様々なエピタキシャルウェハーを取り扱っております。
• 仕様などについては上記は参考です。特定したい層、ご不明点はお問合せ下さい。

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