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Al2O3(Sapphire)>酸化アルミニウム

サファイアウェハ-ウィンドウ・基板

概要:

天然石の宝石ではなく、主に光学分野に利用する純度の高い人造結晶です。
無色透明。純度が悪いサファイアは若干色味がかかる。
不純物にクロムが多いと赤色、鉄,チタンが多いと青色になる。

用途:

光学ウィンドウ:200~5500nmの波長帯域において70~90%の透過性を持っています。
耐熱性、熱伝導性、耐薬品性、絶縁性など様々な分野で扱いやすい性能を秘めており、
強度(硬度)の高さを活用した超高真空窓材など各種加工品も弊社では扱っています。
半導体分野ではサファイアを基盤としたGaN on Sappihre,AlN on Sapphireなどあり、C面,A面,R面,M面なども取り使っております。


面方位:

C面がGaNエピタキシャル成長用基板として最もポピュラーな軸面方位です。
フェムト秒レーザー向け窓でC軸,R軸など複屈折を最小化した方位の提供もしております。

C面=(0001)
A面=(11-20)
R面=(1-102)
M面=(10-10)
ランダムカット

・特殊面方位
発光効率を向上させるために主に非極性/半極性C軸平面サファイア基板にGaNエピタキシャル層の成長に使われます。
一般的にGaNエピタキシーは極性一致軸のC軸に沿って成長させますが、 これにより、GaNベースのデバイスに活性層量子井戸に強力な電界が発生する上、発光効率が低下します。 非極性面GaNエピタキシャルを開発することで、この物理現象を克服し、発光効率改善が見込めるかもしれません。

光学特性

結晶格子定数 a=b=4.758 Å, c=12.991Å
結晶構造 六角形
透過範囲 180~5500nm
反射損失
1.06um両面
常光11.7%,異常光14.2%
屈折率
1.06um
no1.75449, ne1.74663
dN/dT
dN/dT=0時
13.7x10⁻⁶at5.4um
1.5um
光学的均一性 Δn <10⁻⁶/cm>

熱特性

熱伝導率(20℃) 27.21W/(mxK)at300K
熱膨張係数 C軸平行5.6x10⁻⁶K
C軸垂直5.0x10⁻⁶/K
比熱 419Jkg⁻¹K⁻¹

物理特性

密度 20℃/9.71W m/K
融点 2040℃
モース硬度 9
ヤング率 335GPa
せん断弾性率 148.1GPa
体積弾性率 240GPa
見かけ弾性限界 275GPa
誘電率(1MHz) C軸平行11.5
ポアソン比 0.25
  • Crystaltechno参照

サファイア透過率グラフ(T2mm時

 厚さ2mm
 屈折率


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C面サファイアウェハ見積参考仕様

項目/ウェハインチ 2" 4" 6"
グレード
純度≧99.998%
LED LED LED
面方位 C面 offM面0.2°
C面 offA面0.2°
C面 offM面0.2°
C面 offA面0.2°
C面 offM面0.2°
C面 offA面0.2°
寸法(φmm) 50.8±0.1 100±0.2 150±0.3
厚さ(um) 430±15 650±25 1300±30
プライマリフラット A面(11-20)±0.2° A面(11-20)±0.2° A面(11-20)±0.2°
プライマリフラット長(mm) 16±1 300±1 57.5±1.5
表面精度(nm) エピ研磨
Ra<0.2
エピ研磨
Ra<0.2
エピ研磨
Ra<0.3
裏面精度(um) 研削
Ra<0.8~1.2
研削
Ra<0.8~1.2
研削
Ra<0.8~1.2
TTV(um) <10 <20 <25
LTV(um) <3 <10 <15
TIR(um) <10 <20 <25
BOW(um) -8~0 <20 <25
Warp <10 <20 <25
清潔度(クラス) 100クリーン 100クリーン 100クリーン
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エピタキシャルウェハ

御見積方法

光学仕様:サイズ、面方位、研磨(片面/両面)、数量
エピタキシャル基板:サイズ、面方位、数量
以上の内容を当ページ最下部のお問合せフォームからお知らせください。

φ10mm、10x10xT0.5mmの他、穴開け加工なども自由に設定できます。
比較が必要な場合やご不明点はお気軽にお問合せください。

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