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terahertz：テラヘルツ発生用結晶>
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InP結晶
名称：リン化インジウム≒インジウム燐（Ⅲ）
InP結晶基板はGaAsやGaPと比べ、格子定数が大きく、他の材料と整合させたInGaAs,InGaAsPなど様々なエピタキシャル成長せること可能です。それらエピタキシャル基板と合わせ、光通信機器のモジュール、デバイスや赤外・放射線検出器などに活用されています。
主な取り扱い仕様
| ドーパント | S/Zn/Fe/ドープ無し |
|---|---|
| 導電タイプ | N/P, 半導体/半絶縁体 |
| 濃度 | >1E6～8E18cm⁻³ ドープによる |
| モビリティ | >1000cm²/v.s |
| 育成法 | LEC,VGF |
| 直径 | φ2",φ3",φ4" 他各種角板加工 |
| 厚み | 350～625um |
| 面方位 | <100>,<111>,<110> |
| Off-面方位 | Off2°～10° |
| 表面 | 片面・両面研磨 |
| TTV | ≦10um |
| Bow/Warp | ≦20um |
| グレード | エピタキシャル/メカニカル |
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