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InP結晶

名称:リン化インジウム≒インジウム燐(Ⅲ)

InP結晶基板はGaAsやGaPと比べ、格子定数が大きく、他の材料と整合させたInGaAs,InGaAsPなど様々なエピタキシャル成長せること可能です。
それらエピタキシャル基板と合わせ、光通信機器のモジュール、デバイスや赤外・放射線検出器などに活用されています。

主な取り扱い仕様

ドーパント S/Zn/Fe/ドープ無し
導電タイプ N/P, 半導体/半絶縁体
濃度 >1E6~8E18cm⁻³
ドープによる
モビリティ >>1000cm²/v.s
育成法 LEC,VGF
直径 φ2",φ3",φ4" 
他各種角板加工
厚み >350~625um
面方位 ><100>,<111>,<110>
Off-面方位 >Off2°~10°
表面 >片面・両面研磨
TTV >≦10um
Bow/Warp >≦20um
グレード >エピタキシャル/メカニカル

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