Siと比べてバンドギャップが優れた6H-SiC,4H-SiCをご提供いたします。パワーデバイス作成には4HSiCが有用です。

SiCウェハ物理特性

タイプ	4H	6H
格子定数	a=3.076Å c=10.053Å	a=3.073Å c=15.117Å
スタッキングシーケンス	ABCB	ABCACB
バンドギャップ(eV)	3.26	3.03
密度(kg.m³)	3.21^10³	3.21^10³
熱膨張係数(K)	4～5x10⁻⁶	4～5x10⁻⁶
熱伝導率(W/mK)	490	490
屈折率	no=2.719 ne=2.777	no=2.707 ne=2.755
誘電率	9.6	9.66
絶縁破壊電解強度(V/m)	2～4^10⁸	2～4^10⁸
飽和ドリフト速度(m/s)	20^10⁵	20^10⁵
電子移動速度(V.S)	800cm²	400cm²
ホール移動速度(V.S)	115cm²	90cm²
モース硬度	～9	～9

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2"6H-SiC Nタイプ仕様

グレード	量産 リサーチ ダミー
ポリタイプ	6H
直径(mm)	50.8±0.38
厚さ(um)	250/330/430
キャリアタイプ	N
ドーパント	窒素
抵抗率RT(Ω·cm)	0.02～0.1
表面粗さ	<0.5nm(Si面CMP研磨) <1nm(C面光学研磨)
FWHM(arcsec)	量産:<30 リサーチ/ダミー:<50
マイクロ欠陥密度(cm⁻²)	量産:≦1,≦10 リサーチ:　≦30,≦50 ダミー：≦100*
面方位	<0001>±0.5°
OFF軸	3.5°向け<11-20>±0.5°
プライマリーフラット	<1-100>±5°
プライマリーフラット長(mm)	16±1.7
セカンダリーフラット	Si面90° C面90°
セカンダリーフラット長(mm)	8±1.7
表面仕上げ	片面or両面研磨
有効径	中心から90%

• 数値は選択可能です。

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2"4H-SiC 半絶縁体orNタイプ仕様

グレード	量産 リサーチ ダミー
ポリタイプ	4H
直径(mm)	50.8±0.38
厚さ(um)	250/330/430
キャリアタイプ	N or 半絶縁体
ドーパント	窒素(Nタイプのみ）
比抵抗(Ω·cm)	半絶縁体：>1E5 Nタイプ：0.012～0.0028
表面粗さ	<0.5nm(Si面CMP研磨) <1nm(C面光学研磨)
FWHM(arcsec)	量産:<30 リサーチ/ダミー:<50
マイクロ欠陥密度(cm⁻²)	量産:≦1⁻²,≦10 リサーチ:≦30,≦50 ダミー：≦100*
面方位	<0001>±0.5°
OFF軸	3.5°向け<11-20>±0.5°
プライマリーフラット	<1-100>±5°
プライマリーフラット長(mm)	16±1.7
セカンダリーフラット	Si面90° C面90°
セカンダリーフラット長(mm)	8±1.7
表面仕上げ	片面or両面研磨
有効径	中心から90%

• 数値は選択可能です。
• 高純度半絶縁体HPSi)4H-SiCもございます。
• 5x5mm,10x10mmなどチップ加工も可能です。厚みは330um,430umから選べます。

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3"4H-SiC 半絶縁体orNタイプ仕様

グレード	量産 リサーチ ダミー
ポリタイプ	4H
直径(mm)	76.2±0.38
厚さ(um)	350/430±25um
キャリアタイプ	N or 半絶縁体
ドーパント	Nタイプ：窒素 半絶縁体：V
比抵抗(Ω·cm)	半絶縁体：>1E5 Nタイプ：0.015～0.028
表面粗さ	<0.5nm(Si面CMP研磨) <1nm(C面光学研磨)
FWHM(arcsec)	量産:　<30 リサーチ/ダミー:　<50
マイクロ欠陥密度(cm⁻²)	量産:　≦1,≦10cm⁻² リサーチ:　≦30,≦50 ダミー：　≦100*
面方位	<0001>±0.5°
OFF軸	4°又は8°向け<11-20>±0.5°
プライマリーフラット	Nタイプ:<1-100>±5° >半絶縁体:<11-20>±5°
プライマリーフラット長(mm)	22.22±3.17
セカンダリーフラット	Si面90° C面90°
セカンダリーフラット長	11±1.7mm
表面仕上げ	片面or両面研磨
有効径	中心から90%

• 数値は選択可能です。
• 高純度半絶縁体HPSi)4H-SiCもございます。
• 5x5mm,10x10mmなどチップ加工も可能です。厚みは330um,430umから選べます。

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