お問い合わせ
- Tel・Fax
- 045-873-9917
- eメール
-
- お問い合わせフォーム
Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
GaNウェハ・ダイシングチップ基板
気相成長法(HVPE)技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。
電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。
- 価格はサイズなど仕様及び数量に大きく依存します。
2"～4"GaN基板
| ウェハサイズ | 2インチ(50.8)m 4インチ(100.0)mm |
|---|---|
| 厚さ | 260,330,430,500,他 ±20um |
| 添加物(ドープ) | Undoed,Ge, Si, Mg, Fe |
| 導電型(タイプ) | N (Undoped,Si,Ge) P (Mg) 半絶 (Fe) ※タイプはドープ種類で決まります |
| 面方位 | C軸(0001)±0.5° A軸(11-20)±0.5° R軸(1-102)±0.5° M軸(10-10)±0.5° ※C軸以外は希望仕様でご提供できない場合があります。 |
| プライマリーフラット | (1-100)±0.5°※主面C軸時 |
| プライマリー長 | 16mm |
| セカンダリーフラット | (11-20)±3° |
| セカンダリー長 | 8±1mm |
| 抵抗値 | Nタイプ：<0.5ohm.cm 半絶縁体：>10^⁶ohm.cm |
| 転移密度 | <5x10⁸cm² |
| 欠陥密度 | ≦2cm⁻² >2cm⁻² |
| TTV | ≦15um |
| BOW | ≦20um |
| 研磨 | エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded |
| 有効範囲 | ≧90% |
チップ加工GaN基板
| サイズ | 5x5.5mm 10x10.5mm 14x15mm |
|---|---|
| 厚さ | 230±20um 280±20um |
| 面方位 | C軸(0001)±0.5° |
| 抵抗値 | Nタイプ：<0.5ohm.cm 半絶縁体：>10^⁶ohm.cm |
| 転移密度 | <5x10⁶cm² |
| 欠陥密度 | 0 |
| TTV | ≦15um |
| BOW | ≦20um |
| 研磨 | エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded |
| 有効範囲 | ≧90% |
御見積
光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。光学：サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体：サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
