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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
エッチングシリコンウェハ
エッチングウェハーは低粗さ、良好な表面光沢、低コストを有したSiウェハーです。電子素子や部品を製造時に使用する研磨ウェハやエピタキシャルウェハの試験的代替品として有効です。
FZ-Siエッチングウェハ仕様
育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径(インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) |
---|---|---|---|---|
FZ | N or P | <100> or <111> | 3~8 | >1000 |
NTDFZ | N | <100> or <111> | 3~8 | 30~800 |
GDFZ | N or P | <100> or <111> | 3~8 | 0.001~300 |
CFZ | N or P | <100> or <111> | 3~8 | 1~50 |
FZ-Siエッチングウェハ仕様
育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径(インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) |
---|---|---|---|---|
CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >1~300 |
MCZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >1~300 |
高濃度CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >0.001~1 |
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