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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>

エッチングシリコンウェハ

エッチングウェハーは低粗さ、良好な表面光沢、低コストを有したSiウェハーです。電子素子や部品を製造時に使用する研磨ウェハやエピタキシャルウェハの試験的代替品として有効です。

FZ-Siエッチングウェハ仕様

育成法 導電型 面方位 φ直径(インチ) 抵抗値
(Ω・cm)
FZ N or P <100> or <111> 3~8 >1000
NTDFZ N <100> or <111> 3~8 30~800
GDFZ N or P <100> or <111> 3~8 0.001~300
CFZ N or P <100> or <111> 3~8 1~50

FZ-Siエッチングウェハ仕様

育成法 導電型 面方位 φ直径(インチ) 抵抗値
(Ω・cm)
CZ N or P <100>,<110>,<111> 3~8 >1~300
MCZ N or P <100>,<110>,<111> 3~8 >1~300
高濃度CZ N or P <100>,<110>,<111> 3~8 >0.001~1

御見積

サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
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不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
25枚ロットが基本ですが、ロット割れ販売も可能な場合がございます。

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