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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
テスト用ダミー・モニター・プライムウェハSi基板
ダミーウェハ(再生ウェハ)：
主に実験や試験に使用されるものです。製造工程の初期段階の安全性を向上及び確認向けです。プライムウェハとダミーウェハ合わせてテストウェハと称されます。
モニターウェハ：
製造工程毎に調整のときに使われるウェハです。基板の厚さに対するデバイスの許容誤差の測定、本番前のSiウェハの代用として、監視目的として使われます。
- 価格は数量に大きく依存します。
- 画像上にある透明な痕はボクセル内にあるフィルムです。
品質に異常はありません。
テストウェハ-N型150mm,SCL
| ウェハサイズ | 150±0.5mm |
|---|---|
| 厚さ | 675±25um |
| 面方位 | <100>±2° |
| 結晶育成法 | (1-100)CZ |
| ドーパント | リン(P) |
| 転位密度 | <5000/cm² |
| 抵抗値 | 4～7ohm.cm |
| ラジアル比抵抗変化量 | 15% |
| 平行度 | BOW(max)：60um TIR(max):6um TAPER(max):12um WARP(max):60um |
| プライマリフラット | 長さ：57.5±2.5mm 面方位：(110)±2°SEMI準拠 セカンダリフラット：SEMI準拠 |
| 前面 | 鏡面研磨 |
| パーティクル(max) | ≧0.3um,30 |
| スクラッチ、チップ、ピールなど | 無し |
| 裏面* | エッチド |
- 両面鏡面研磨のテストウェハもございます。
モニター/ダミーSiウェハ
| インチ | 研磨面 | 面方位 | 基板厚 | 比抵抗 | 粒子 |
|---|---|---|---|---|---|
| 4 | 片面 | (100)or(111) | 250～500um | 0～100 | 0.2um ≦30個 |
| 6 | 片面 | (100) | 500～675um | 0～100 | 0.2um ≦30個 |
| 8 | 片面 | (100) | 600～750um | 0～100 | 0.2um ≦30個 |
| 12 | 両面 | (100) | 650～775um | 0～100 | 0.09um ≦100個 |
御見積
光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。光学：サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体：サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
