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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
エピタキシャルSiウェハ-Si on Si
シリコン基板上に別の単結晶又は多結晶シリコン層を成膜させたウェハー。
基板の結晶構造を継続しつつ、正確なドーピング濃度に堆積いたします。
Si基板6インチウェハ仕様
| 育成法 | CZ |
|---|---|
| 直径 | 150mm |
| 厚さ | 625um |
| ドーパント/th> | As |
| 導電型 | N |
| 面方位 | (100) |
| 比抵抗 | ≦0.005Ω.cm |
| RPG | ≦15% |
| プライマリーフラット長 | 55～60mm |
| プライマリーフラット方位 | <110> |
| 研磨 | 片面鏡面研磨 |
| 以下エピタキシャル層仕様 | |
| 構造 | N/N+ |
| ドーパント | Phos |
| エピ厚み | 3±2um |
| 均一性 | 5%以下 |
| 測定位置 | 中心から1mm,端から4mm 4点から90度 |
| 比抵抗 | 2.5±0.2Ω.cm |
| キズ・チッピング | 無し |
| パーティクル | ≦30 at 0.3um |
御見積
半導体：サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
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25枚ロットが基本ですが、ロット割れ販売も可能な場合がございます。
