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Xiamen Compound Semiconductor Wafers製>
CZ法シリコンウェハ
CZ育成法で製作したSiウェハーはN型P型どちらでも対応でき、高濃度ドーピングすることによって低抵抗Siウェハの提供を可能とします。面方位<110>は新世代Siウェハーとして刮目されております。
| CZ-Si | 高濃度/低濃度ドープどちらでも対応可能なウェハーです。 IC、ダイオード、ソーラー電池などに適したSiです。 |
|---|---|
| MCZ-Si | CZ法Siとほぼ変わらぬスペックですが、低酸素ソーラー電池用としてより適したシリコンです。 |
| 高濃度CZ-Si | 特別なドーピング装置を用いて、P,Sb,Asなど高濃度に添加し、非常に低い抵抗率を製造することができます。主にエピタキシャル成長基盤として用いられます。 |
| CFZ-Si | チョクラルスキー法(CZ)とフロートゾーン法(FZ)を組み合わせて育成した単結晶Siです。
この育成法によってGaやGeなど元素をドープすることができます。
CFZ-Siは新世代太陽電池パネルとして有望で変換効率は24～26%です。 ※現在生産中止しています。 |
CZ-Siウェハ育成法別見取り表
| 育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径(インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) |
|---|---|---|---|---|
| CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3～8 | >1～300 |
| MCZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3～8 | >1～300 |
| 高濃度CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3～8 | >0.001～1 |
CZ-Siウェハ-パラメータ
| 直径 | 76.2～200mm |
|---|---|
| 厚さ | 160以上 |
| プライマリーフラット長さ | 57.5±2.5mm |
| プライマリーフラット方位 | <001>±1° |
| セカンダリーフラット長さ | 無し |
| セカンダリーフラット方位 | 無し |
| TTV | ≦5um |
| Bow | ≦40um |
| Warp | ≦40um |
| 表面仕上げ | 化学機械研磨 |
| LPD | ≧0.3um at ≦15pcs |
| 裏面 | エッチド |
| チッピング | 無し |
御見積
光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。光学：サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体：サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
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25枚ロットが基本ですが、ロット割れ販売も可能な場合がございます。
