販売-ランガテイト単結晶-シチズンファインデバイス製

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CITIZEN FINEDEVICE製(圧電結晶)>

シチズンファインデバイス製ランガテイト単結晶

<販売>

シチズンファインデバイス㈱で育成したランガテイト単結晶を販売しています。
水晶に代わる燃焼系圧力センサの圧電素子としていかがでしょうか。
本結晶はシチズンで独自に育成し、顧客目線でサイズなどカスタムメイドな結晶基板を製造いたします。

<温度>

ランガテイトは1000℃を超えても圧電定数の変化が少なく、高温環境下で圧電特性が得られる性質は有しています。

<実績>

シチズン製ランガテイトはその300℃前後まで内燃圧力センサー製造実績があります。
本来は1000°超える温度環境下でも活用できる性能がありますが、隣接する部品との熱膨張などの影響を受けて、圧電素子が破損する恐れが高まるため、 300℃前後での環境で使用するが主流となっております。将来は500℃を超える燃焼圧センサや圧力信号の低い部位の測定として用いる可能性があり、水晶の圧電定数と比べて約3倍ほど効率がよく、ノイズ対策や波形増幅などの基板回路設計に役立ちます。
他にも高温度環境下が必要な分野では、必要不可欠な圧力素子として水晶や圧電セラミックスの代用が期待ができます。

融点1500℃までキュリー点が無い。高温圧電センサーに活用できる
圧電定数が水晶の約3倍大きい。
国産ランガサイトによる安定供給が可能。外国の輸出入規制および為替の影響が低い。
量産対応可。研究開発向けの小ロットも喜んでお引受けします。

水晶&ランガテイト物性値比較表

	水晶	ランガテイト (シチズン製)	ランガテイト (ロシア製)
結晶育成法	-	チョクラルスキー法 Z軸引き上げ	-
相対誘電率	4.6	-	80.3
キュリー温度 (℃)	570	無し	無し
圧電電荷係数 10⁻¹² C/N or m/Vz	-d₁₁=2.3 d₁₄=0.9	-d₁₁=6.735	-d₁₁=6.5 d₁₄=4.7
圧電電圧係数 10⁻³ Vm/N or m²/C	-g₁₁=38 g₁₄=58.0	-	-g₁₁=27.7 g₁₄=18.0
ヤング率 10¹⁰ N/m²	YE₁₁7.8 YE₃₃=10.4	YE₁₁=10.7 YE₃₃=20.8	YE₁₁=11 YE₃₃=19
周波数定数 Hz-m or m/s	NL=不明 NT=1666	-	NL=2870, NT=1320
弾性率 10⁻¹² m²/N	SE₁₁=12.8 SE₃₃=9.6	-	SE₁₁=9.0 SE₃₃=5.2
密度 g/cm³	2.65	6.114	6.13
Q値(機械的品質係数) Qm,1	106	-	50000
ビッカーズ硬度 (HV)	1100	800	800
モース硬度	7	6.02	6.02
線膨張係数 10⁻⁶/K	-	α₁₁=7.2 α₂₂=7.2 α₃₃=5.0	-
ポアソン比		V₁₂=0.50 V₁₃=0.19	-
熱伝導率 W/(m・K)	2.65	λ₁₁=1.32 λ₂₂=1.33 λ₃₃=1.65	-
絶縁抵抗値 Ω・cm(300℃)	-	1x10¹⁰	-

シチズンファインデバイス㈱参考
数値は保証値ではありません。

<特許>

シチズンファインデバイス㈱のランガテイトは各国の特許で保護されています。

国名	特許番号
日本米国ロシア中国台湾	6498301 10793968 2686900 ZL201680048382.2 I637086
オーストリアスイスドイツフランス	6498301

シチズン製ランガテイト結晶基板

ランガテイト結晶を長方形基板や円形基板に加工して御見積いたします。
圧力センサ向けは現在300℃前後で使用がメインです。
光学結晶では「サイズ」「面方位」をご指定下さい。

シチズンランガテイト結晶素子基板参考取り扱い仕様

結晶軸	Yカット,Zカット,Xカット
サイズ(mm)	角形：1x1～70x70 円形：φ1～φ3インチ厚さ：0.5～100 ※上記範囲内で自由なサイズで製作します。結晶軸方向によって対応できるサイズに限界はあります。
表面	ミラー研磨(ラップ研磨)
電極膜	Ti+Au