仕入

ドイツ・ロシアにあるメーカーから用途に合わせご紹介いたします。
※ウクライナ侵攻によって現在ロシア製ランガテイトは入荷できません。
代わってシチズンファインデバイス㈱製ランガテイトをご案内いたします。

ランガテイトと水晶物理的比較表

	水晶	ランガテイト
相対誘電率 1	4.6	80.3
キュリー温度 ℃	570	-
圧電電荷係数 10⁻¹² C/N or m/Vz	-d₁₁=2.3, d₁₄=0.9	-d₁₁=6.5, d₁₄=4.7
圧電電圧係数 10⁻³ Vm/N or m²/C	-g₁₁=38, g₁₄=58.0	-g₁₁=27.7 g₁₄=18.0
ヤング率 10¹⁰ N/m²	YE₁₁7.8, YE₃₃=10.4	YE₁₁=11, YE₃₃=19
周波数定数 Hz-m or m/s	NL=不明,NT=1666	NL=2870, NT=1320
弾性率 10⁻¹² m²/N	SE₁₁=12.8, SE₃₃=9.6	SE₁₁=9.0, SE₃₃=5.2
密度 g/cm³	2.65	6.13
Q値(機械的品質係数) Qm,1	106	50000

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LGT結晶素子基板

　

LGT結晶素子基板参考取り扱い仕様

サイズ ±0.05	φ5～φ100 10x10
厚さ±0.025	0.35～1.0
面方位	X-cut Y-cut
表面	ミラー研磨 ※粗さなどは別途お問合せください。

• 単位：ミリ(mm)
• 上記を標準にしておりますが、希望サイズ基板にてご提供しております。
• 面方位X-cutは生産状況次第で販売していない場合があります。

LGT結晶センサー素子

LGTセンサー素子標準製品仕様

外径サイズ	φ6.35 +0.05/-0.05	φ9.78 +0.00/-0.05
内径サイズ	φ2.95 +0.05/-0.05	φ3.81 +0.08/-0.00
厚さ	0.635 ±0.025	0.635 ±0.025
表面	ラッピング
スパッタリング (両面真空)	クロム、金
抵抗値	20Ω以下
圧電抵抗値	1MΩ以上/540℃

• 単位：ミリ(mm)
• 参考FOMOS-Material
• 数値はすべて参考です。保証するものではありません。
• 製造メーカーによって若干異なります。
• LGT結晶素子及びセンサー素子すべてサイズのカスタム可能です。

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。

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