お問い合わせ

Tel・Fax
045-873-9917
eメール
 
お問い合わせフォーム

NANOLN products LNOI<OI>

LN&LT薄膜基板ウェハ

NANOLN製LiNbO3&LiTaO3多層膜結晶基板ウェハ

単結晶ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムの基板上にAuなど電極膜を成膜し、 更にその上にSiO2や同じLNを成膜し多層膜基板を形成する最先端製品です。
高度な技術でSiや水晶基板上に最薄300nmのLiNbO3、LiTaO3を成膜した基板も提供できます。 ダイシング加工も得意とし、外注に出さずにNANOLN一社でそのままチップ基板として提供も可能です。

NANOLN製多層膜基板簡易図


取扱い300~900nmLiNbO3薄膜接合基板規格パラメータ


※カラー毎に膜層の仕様を記載しております。
頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiNbO3
面方位

Orientation

X, Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

300~900nm
ドープ

Dopant

MgO(任意)
接合層

Isolation Layer

素材

Material

SiO2
成膜厚

Thickness

300~4000nm
光学電極膜層

Optical Electrode Layer

素材

Material

Pt,Au,Cr
成膜厚

Thickness

100~400nm
成膜部分

Structure

接合層の上層または下層
基板

Substrate

素材

Material

Si, LiNbO3, 水晶, 溶融石英(Fusesd Silica) etc
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.4~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。

電極膜はAuを中心にPt,Crを挟む形で成膜します。

電極膜のCrなどはAuの接着性を強めるために必要です。

電極膜の全体膜厚は調整できますが、PtやCrの膜厚は固定です。



Si基板LiTaO3多層膜図


Si基板上にSiO2成膜しLTを薄く成膜した多層膜基板です。
基板サイズや成膜厚は指定することも可能です。

取扱い300~900nmLiTaO3薄膜接合基板規格パラメータ

頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiTaO3
面方位

Orientation

Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

300~900nm
接合層

Isolation Layer

素材

Material

SiO2
成膜厚

Thickness

300~4000nm
基板

Substrate

素材

Material

Si
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.4~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。




Si基板5~50um(LN&LT&水晶成膜)簡易図


取扱いSi基板5~50um(LN&LT&水晶成膜)

頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiNbO3,LiTaO3,水晶,etc
面方位

Orientation

X, Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

5~50um
(5000~50,000nm)
基板

Substrate

素材

Material

Si
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.23~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。




超薄厚・超平坦LN&LTウェハ

NANOLN製極薄LT&LNウェハ基板
LiNbO3やLiTaO3ウェハを厚さ0.01mmまで薄いウェハを提供いたします。
10x10mmなどダイシングして納品もいたします。

  超薄厚LiNbO3ウェハ

  ダイシングウェハ

取扱い仕様パラメータ

基板素材

Material

LiNbO3, LiTaO3, Si, 水晶(Quartz)etc
ウェハ径

Diameter

3,4インチ,他
面方位

Orientation

X, Y, Z, AT(水晶)
厚さ

Thickness

0.01~0.06mm
10~60um
表面 片面 or 両面研磨
粗さ
Ra
超薄厚加工=<0.15um
CMP研磨=<0.5nm
TTV 超薄厚加工=<1um
 PECVD研磨=<±5%
  CMP研磨=<±3%
  • H₃+,H2+Ar+などイオン注入も対応可能です。
  • Ra,TTVなどは研磨方法によって異なります。

御見積

下記お問合せフォームまたはメールから、
サイズ、膜厚、接合層、ウェハ枚数
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

  Homeに戻る