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NANOLN products LNOI>
LN<薄膜接合Si・水晶基板ウェハ
NANOLN製SAWデバイスLiNbO3&LiTaO3多層膜接合ウェハ
Si基板上薄膜LN/LTウェハを2016年より日本国内で代理販売しております。SiO2バッファ層を挟み、薄膜LN/LTを接合した製品です。
ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムの基板上にCrやAuなど電極膜を成膜し、
バッファ層SiO2や同じLNを成膜した多層膜基板を形成する最先端製品です。
LN及びLTは300nmから900nmを100nm毎に希望する膜厚で製作できます。
その他、支持基板は成膜するLN/LTによって基板材料を変えることができます。
詳細は以下画像をご確認ください。
※カット方位及び膜厚公差など細かい仕様は別途お問合せください。
【4層構造】
42°Y及び50°Y/LTウェハの現行は最小4層構造からなる多層接合ウェハが主力として生産しております。標準品のLT薄膜接合Si基板のバッファ層に多結晶Si層を入れ、PSC(寄生表面伝導)の効果を抑制することが可能となりました。
多結晶Siを挟むことで、自由電荷を効果的に保持することができ、基板への損傷を防ぐ役割となります。
LN薄膜接合層は3層及び4層の製品がございます。
NANOLN製多層膜基板イメージ図
NANOLN製4層構造イメージ図(現行タイプ)
300～900nmLiNbO3-薄膜接合基板規格パラメータ
※表は色ごとに膜層の仕様を記載しております。(色に意味はありません。)
頂上層Top Functional Layer |
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素材Material |
LiNbO3 | |
|---|---|---|
面方位Orientation | X, Z, Y42°, Y46.3° | |
成膜厚Thickness |
300～900nm | |
ドープDopant | MgO(任意) | |
バッファ層①Isolation Layer |
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素材Material |
SiO2 | |
成膜厚Thickness |
300～4000nm | |
バッファ層②Isolation Layer |
||
素材Material |
多結晶Si | |
成膜厚Thickness |
500um | |
光学電極膜層Optical Electrode Layer |
||
素材Material |
Pt,Au,Cr | |
成膜厚Thickness |
100～400nm | |
成膜部分Structure |
接合層の上層または下層 | |
基板Substrate |
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素材Material |
Si, LiNbO3, 水晶, 溶融石英(Fusesd Silica) etc | |
基板サイズDiamater |
3,4,6インチ | |
基板厚Thickness | 0.4～0.5mm | |
形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。
電極膜はAuを中心にPt,Crを挟む形で成膜します。
電極膜のCrなどはAuの接着性を強めるために必要です。
電極膜の全体膜厚は調整できますが、PtやCrの膜厚は固定です。
頂上層のLN<はイオン照射によるスマートカット技術で生産しております。
Si基板LiTaO3SAWデバイス基板
LNとLTでは支持基板にできる材料の選択が異なります。
基板サイズや成膜厚は指定することも可能です。
300～900nmLiTaO3-薄膜接合基板規格パラメータ
頂上層Top Functional Layer |
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素材Material |
LiTaO3 | |
|---|---|---|
面方位Orientation | Z, Y42°, Y46.3° | |
成膜厚Thickness |
300～900nm | |
バッファ層①Isolation Layer |
||
素材Material |
SiO2 | |
成膜厚Thickness |
300～4000nm | |
バッファ層②Isolation Layer |
||
素材Material |
多結晶Si | |
成膜厚Thickness |
500um | |
基板Substrate |
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素材Material |
Si | |
基板サイズDiamater |
3,4,6インチ | |
基板厚Thickness | 0.4～0.5mm | |
形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。
Si基板5～50um(LN<&水晶接合)簡易図
※2022年現在水晶基板薄膜接合ウェハの取扱いは休止しています。
取扱いSi基板5～50um(LN<&水晶接合)
頂上層Top Functional Layer |
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素材Material |
LiNbO3,LiTaO3,水晶,etc | |
|---|---|---|
面方位Orientation | X, Z, Y42°, Y46.3° | |
成膜厚Thickness |
5～50um (5000～50,000nm) |
|
基板Substrate |
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素材Material |
Si | |
基板サイズDiamater |
3,4,6インチ | |
基板厚Thickness | 0.23～0.5mm | |
形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。
接合層の電極膜はスパッタリング法で成膜しています。
※2022年現在水晶基板LT/LNウェハの取扱いは休止しています。
超薄厚・超平坦LN<ウェハ
NANOLN製極薄LT&LNウェハ基板LiNbO3やLiTaO3ウェハを厚さ0.01mmまで薄いウェハを提供いたします。
10x10mmなどダイシングして納品もいたします。
超薄厚LiNbO3ウェハ
ダイシングウェハ
取扱い仕様パラメータ
基板素材Material |
LiNbO3, LiTaO3, Si, 水晶(Quartz)etc |
|---|---|
ウェハ径Diameter |
3,4インチ,他 |
面方位Orientation |
X, Y, Z, AT(水晶) |
厚さThickness |
0.01～0.06mm 10～60um |
| 表面 | 片面 or 両面研磨 |
| 粗さ Ra |
超薄厚加工=<0.15um CMP研磨=<0.5nm |
| TTV | 超薄厚加工=<1um PECVD研磨=<±5% CMP研磨=<±3% |
- H₃+,H2+Ar+などイオン注入も対応可能です。
- Ra,TTVなどは研磨方法によって異なります。
御見積
下記お問合せフォームまたはメールから、サイズ、膜厚、接合層、ウェハ枚数
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。
同NANOLN製品を弊社の画像や表を未承諾で利用している業者がおります。
弊社の簡易画像がとても理解しやすいものと嬉しく思いますが、弊社は許可を出しておりません。
同じ製品ですが、他社よりもより信頼度の高い情報を発信し、ユーザー様へ貢献して参りたいと思います。
画像及び表など製品に関するご質問は弊社までお問い合わせください。2024年2月
