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NANOLN products LNOI<OI>

LN&LT薄膜基板ウェハ

NANOLN製LiNbO3超薄膜結晶基板ウェハ

単結晶ニオブ酸リチウム薄膜基板の製造を専門とする先端製品です。
高度な技術でSiや水晶基板上に最薄300nmのLiNbO3、LiTaO3を成膜したウェハを製造します。 ウェハはお客様のご希望でダイシングし、チップ基板も可能です。

LiNbO3成膜積層簡易図


取扱い300~900nmLiNbO3薄膜接合基板規格パラメータ

頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiNbO3
面方位

Orientation

X, Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

300~900nm
ドープ

Dopant

MgO(任意)
接合層

Isolation Layer

素材

Material

SiO2
成膜厚

Thickness

300~4000nm
光学電極膜層

Optical Electrode Layer

素材

Material

Pt,Au,Cr
成膜厚

Thickness

100~400nm
成膜部分

Structure

接合層の上層または下層
基板

Substrate

素材

Material

Si, LiNbO3, 水晶, 溶融石英(Fusesd Silica) etc
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.4~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。




LiTaO3成膜積層簡易図


取扱い300~900nmLiTaO3薄膜接合基板規格パラメータ

頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiTaO3
面方位

Orientation

Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

300~900nm
接合層

Isolation Layer

素材

Material

SiO2
成膜厚

Thickness

300~4000nm
基板

Substrate

素材

Material

Si
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.4~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。




Si基板5~50um(LN&LT&水晶成膜)簡易図


取扱いSi基板5~50um(LN&LT&水晶成膜)

頂上層

Top Functional Layer

素材

Material

LiNbO3,LiTaO3,水晶,etc
面方位

Orientation

X, Z, Y42°, Y46.3°
成膜厚

Thickness

5~50um
(5000~50,000nm)
基板

Substrate

素材

Material

Si
基板サイズ

Diamater

3,4,6インチ
基板厚

Thickness

0.23~0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。




超薄厚・超平坦LN&LTウェハ

LiNbO3やLiTaO3ウェハを厚さ0.01mmまで薄いウェハを提供いたします。
ご希望があればダイシングもいたします。

  超薄厚LiNbO3ウェハ

  ダイシングウェハ

取扱い仕様パラメータ

基板素材

Material

LiNbO3, LiTaO3, Si, 水晶(Quartz)etc
ウェハ径

Diameter

3,4インチ,他
面方位

Orientation

X, Y, Z, AT(水晶)
厚さ

Thickness

0.01~0.06mm
10~60um
表面 片面 or 両面研磨
粗さ
Ra
超薄厚加工=<0.15um
CMP研磨=<0.5nm
TTV 超薄厚加工=<1um
 PECVD研磨=<±5%
  CMP研磨=<±3%
  • H₃+,H2+Ar+などイオン注入も対応可能です。
  • Ra,TTVなどは研磨方法によって異なります。

御見積

下記お問合せフォームまたはメールから、
サイズ、膜厚、接合層、ウェハ枚数
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

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