NANOLN製多層膜基板イメージ図

取扱い300～900nmLiNbO3薄膜接合基板規格パラメータ

※表は色ごとに膜層の仕様を記載しております。(色に意味はありません。)

頂上層 Top Functional Layer
素材 Material	LiNbO3
面方位 Orientation	X,　Z,　Y42°,　Y46.3°
成膜厚 Thickness	300～900nm
ドープ Dopant	MgO(任意)
接合層 Isolation Layer
素材 Material	SiO2
成膜厚 Thickness	300～4000nm
光学電極膜層 Optical Electrode Layer
素材 Material	Pt,Au,Cr
成膜厚 Thickness	100～400nm
成膜部分 Structure	接合層の上層または下層
基板 Substrate
素材 Material	Si, LiNbO3, 水晶, 溶融石英(Fusesd Silica) etc
基板サイズ Diamater	3,4,6インチ
基板厚 Thickness	0.4～0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。

電極膜はAuを中心にPt,Crを挟む形で成膜します。

電極膜のCrなどはAuの接着性を強めるために必要です。

電極膜の全体膜厚は調整できますが、PtやCrの膜厚は固定です。

頂上層のLN&LTはイオン照射によるスマートカット技術で生産しております。

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Si基板LiTaO3SAWデバイス基板

Si基板上にSiO2成膜しLTを薄く成膜した多層膜基板です。
基板サイズや成膜厚は指定することも可能です。

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取扱い300～900nmLiTaO3薄膜接合基板規格パラメータ

頂上層 Top Functional Layer
素材 Material	LiTaO3
面方位 Orientation	Z,　Y42°,　Y46.3°
成膜厚 Thickness	300～900nm
接合層 Isolation Layer
素材 Material	SiO2
成膜厚 Thickness	300～4000nm
基板 Substrate
素材 Material	Si
基板サイズ Diamater	3,4,6インチ
基板厚 Thickness	0.4～0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。

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Si基板5～50um(LN&LT&水晶接合)簡易図

※2022年現在水晶基板多層膜ウェハの取扱いは休止しています。

取扱いSi基板5～50um(LN&LT&水晶接合)

頂上層 Top Functional Layer
素材 Material	LiNbO3,LiTaO3,水晶,etc
面方位 Orientation	X,　Z,　Y42°,　Y46.3°
成膜厚 Thickness	5～50um (5000～50,000nm)
基板 Substrate
素材 Material	Si
基板サイズ Diamater	3,4,6インチ
基板厚 Thickness	0.23～0.5mm

形状を3x3mmなどのチップ型、Φ20mmの丸型など色々なサイズへの加工対応もしております。
接合層の電極膜はスパッタリング法で成膜しています。
※2022年現在水晶基板LT/LNウェハの取扱いは休止しています。

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取扱い仕様パラメータ

基板素材 Material	LiNbO3, LiTaO3, Si, 水晶(Quartz)etc
ウェハ径 Diameter	3,4インチ,他
面方位 Orientation	X, Y, Z, AT(水晶)
厚さ Thickness	0.01～0.06mm 10～60um
表面	片面 or 両面研磨
粗さ Ra	超薄厚加工=<0.15um CMP研磨=<0.5nm
TTV	超薄厚加工=<1um  PECVD研磨=<±5%   CMP研磨=<±3%

• H₃+,H2+Ar+などイオン注入も対応可能です。
• Ra,TTVなどは研磨方法によって異なります。

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