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Strontium Lanthanium Aluminate (SrLaAlO4超電導基板) >
ストロンチウム・ランタニウム・アルミネート

特徴:
SrLaAlO4基板はペロブスカイト系に近い層状構造をもつ結晶の一つで、酸化物薄膜成長用基板として利用されることが多い。結晶格子整合性が良く、La2CuO4系やBi系銅酸化物やペロブスカイト酸化物薄膜のエピ成長に適している。
薄膜との熱膨張係数近く、成膜後の熱処理でもクラックが入りにくい。
光学的にも可視光から赤外域に透過特性がある。
用途:
・高温超電導薄膜の成長基板(Bi2Sr2CaCu2O8成長)・強誘電体・圧電体薄膜成長(BaTiO3やSrTiO3のエピ成長研究)
・光学材料(赤外分光・ラマン散乱実験の基板や窓材
酸化物結晶基板の比較
結晶 | 格子定数(a軸) (Å) |
特徴 | 用途 |
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c=12.63 |
YBCOやLa系銅酸化物と格子整合性がよい。熱膨張もよい。 |
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格子定数が大きめでマッチングミスに注意 |
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耐熱性・対化学性に優れる。 |
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- 数値は理論値です。
- 各説明に対して裏付け取材などしておりません。各自で裏付けしてください。
- 弊社は商社です。販売が目的ですので、是非御見積をご依頼ください。
SrLaAlO4御見積仕様
面方位 | (001), (100), (110), ※(111)特殊 |
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サイズ(mm) | 2x2, 5x5, 10x10, 1"MAX |
研磨 | 片面 or 両面エピレディ |
厚さ(mm) | 0.1~ |
- 標準的な仕様をメインにサイズや厚みはカスタム可能です。
- 価格はお問合せ下さい。
面方位別選択
研究目的 | 推奨方位 | 理由 |
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エピ成長・デバイス作製 | (001) | 最も安定で成長容易、良質なc軸配向膜が得られる。 ほとんどの薄膜研究で標準的な方位 |
膜の面内異方性評価・電流伝導方向の制御 | (100) | a軸配向成長により、面内異方性を強調できる |
特殊な対称性制御・界面物性研究 | (110) | 面内・面外の対称性が異なり、構造・磁気・電子異方性が明瞭になる。評価向け |
SrLaAlO4結晶物性データ
結晶名 | SrLaAlO4(SLAO) |
---|---|
結晶構造 | 正方晶 |
結晶格子定数 | a=3.756, c=12.63 |
融点 ℃ |
>1650 |
モース硬度 | 7 (6~6.5の可能性有) |
誘電率 | a軸=16.81 c軸=20.02 |
密度 (g/cm³) |
5.92 |
熱膨張係数 (ppm/℃) |
12 |
- 数値は参考値です。保証するものではありません。
御見積のご依頼はサイズ、面方位、研磨の有無などお知らせください。
- MgAl2O4
(スピネル) - MgAl6O10
- ScMgAlO4
- SrLaAlO4
- MgO
- LiAlO2
- LaAlO3
- ZnO
- SrTiO3
- GGG
- SGGG
- TGG
- TSAG
- YIG
- BIG
- LSAT
- YSZ(ZrO2)
- Bi2Se3
- CoO
- HOPG/TCPG/HAPG
- MnO
- NiO
- FeO
- Fe2O3&Fe3O4
- FeWO4
- KTaO3
- SnO
- SnO2
(FTO基板,ITO基板含む) - Cr2O3
- YFeO3