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GaN基板

気相成長法(HVPE)技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。
電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。

  • 価格は数量に大きく依存します。


1.5~2"GaN基板

ウェハサイズ 1.5インチ(38.1)mm
2インチ(50.8)mm
厚さ 260±20um
面方位 C軸(0001)±0.5°
プライマリーフラット (1-100)±0.5°
プライマリー長 16mm
セカンダリーフラット (11-20)±3°
セカンダリー長 8±1mm
抵抗値 Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>106ohm.cm
転移密度 <5x10⁶cm²
欠陥密度 ≦2cm⁻²
>2cm⁻²
TTV ≦15um
BOW ≦20um
研磨 エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded
有効範囲 ≧90%


チップ加工GaN基板

サイズ 5x5.5mm
10x10.5mm
14x15mm
厚さ 230±20um
280±20um
面方位 C軸(0001)±0.5°
抵抗値 Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>106ohm.cm
転移密度 <5x10⁶cm²
欠陥密度 0
TTV ≦15um
BOW ≦20um
研磨 エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded
有効範囲 ≧90%

御見積

光学用途又は半導体用途によって、適した御見積をします。
光学:サイズ、面方位、研磨、コーティングの有無
半導体:サイズ・厚み、面方位、導電型、抵抗率、キャリア濃度、数量
以上を下記お問合せフォームよりお問合せください。
不明な点及び標準規格をご要望の場合は指定なしでお知らせください。

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