取扱いエピウェハー一覧：

サファイア基板GaN
サファイア基板AlN
サファイア基板AlGaN/GaN
サファイア基板AlGaN/GaN
Si基板GaN
Si基板AlN
GaAs基板GaAs
GaAs基板AlAs
GaAs基板InAs
GaAs基板InGaP
GaAs基板GaAsP
GaAs基板AlGaAs/InGaAs
GaAs基板InGaAIP/InGaAs
GaAs基板LT-GaAs
InP基板InP
InP基板InGaAs
InP基板InGaAsP

※緑色の部分は詳細ページへ閲覧できます。

Semicunductor Wafer Inc(中国)を中心に直径2～4インチエピタキシャルウェハーを提供しております。
育成法はHVPE又はMOCVD法により成長し、高周波、高速・高出力デバイス用の基板として開発されております。

スタンダートなGaN系ウェハーの他に、特定のエピ層構造を設計の可否についてもお問合せください。